BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC889N03MSGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 12A 44A TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-1 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) 44A (Tc) |
BSC889N03MSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC889N03MSGATMA1 PDF - EN.pdf |
N-CHANNEL POWER MOSFET
BSC889N03MS INFINEO
BSC900N20NS3 G Infineon Technologies
BSC889N03LS G E8178 INFINEON
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
BSC889N03NS3G INFINEON
BSC889N03LSGE8178 INFINEON
INFINEON TDSON-8
INFINEON QFN
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON
BSC900N20NS3G INFINEON
IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
BSC889N03LS Original
INFIN QFN
INFINEON QFN
IC MPU QORIQ 800MHZ 520FCBGA
INFINEO TDSON-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSC889N03MSGATMA1Infineon Technologies |
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